Твердотельный накопитель SSD Samsung 990 EVO, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 700 000/800 000, TBW 1200, DWPD 0.33 (12 мес.) MZ-V9E2T0BW - цены, купить, тех. характеристики в интернет-магазине Laptop.ru
0 Сравнение
0 Избранное
0 В корзине пока пусто
Каталог товаров
Подписка на новости магазина

Подпишитесь на рассылку и получайте свежие новости и акции нашего магазина.

Твердотельный накопитель SSD Samsung 990 EVO, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 700 000/800 000, TBW 1200, DWPD 0.33 (12 мес.) MZ-V9E2T0BW
Артикул: 634163
Характеристики:
Бренд
Характеристики:
Прочие
Бренд Samsung
Описание товара
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 700 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO. Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
Похожие товары (8)
Твердотельный накопитель SSD Samsung 990 EVO, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 700 000/800 000, TBW 1200, DWPD 0.33 (12 мес.) MZ-V9E2T0BW
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 700 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO. Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
Товар добавлен в корзину
Итого:
Купить в один клик
Заполните данные для заказа
Запросить стоимость товара
Заполните данные для запроса цены
Запросить цену Запросить цену